一、生产厂家：日本HITACHI
二、主要技术参数
1.二次电子图象分辨率0.8nm@15kV
2.加速电压0.5～30kV(减速着陆电压0.1～2kV)
3.放大倍数20～1,000,000
4.仪器种类：场发射
三、主要应用
本仪器配备冷场发射电子枪，在低电压下仍具有很高的图像分辨率，可观察物体二次电子像、背散射电子像，同时可进行X射线能谱分析：
1.固体物质表面形貌观察
观察样品时可不喷金或者少喷金，可广泛应用于生物、物理、化学、纳米材料、金属材料、高分子材料等方面的表面形貌观察、粒度测量、集成电路质量检验、断口分析、失效分析等。
2.背散射电子像（BSE）
背散射电子像可显示出试样微区平均原子序数的差异，给出试样的成分衬度，可对陶瓷、金属或合金等材料的显微结构进行分析。
3.X射线能谱(EDS)
配备牛津Aztec系列X射线能谱仪，可对固体物质进行微区元素成分分析，适用于生物学、医学、化学、化工学、物理学、金属学等相关学科的有关物体的微区元素定性、半定量分析,并给出线扫、面扫元素分布结果。
铁硅铝（FeSiAl）粉末的扫描电子显微镜（SEM）图像及元素分布图
W. Li et al., Journal of Alloys and Compounds 993, 174552 (2024)
四、样品要求
扫描样品请自行按照扫描电镜的样品准备
1.如测固体样品，最好用乙醇分散滴涂于基底表面，挥发至完全干后再测。
2.液体样品可以直接涂于基底表面，挥发至完全干后再测。
3.不测带磁性的样品，包括Fe、Co、Ni等。